MOSFET驅動參數(shù)：最小門極電阻計算-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-10
在《IGBT以及MOSFET的驅動參數(shù)的計算方法》該應用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7，并以此得出了電流波形不振蕩的最小門極電阻的計算公式。
然而，該應用指南并未講述如何推導出 Eq.7，故寫此文列出推導過程，如下：
由 Eq.6 可知串聯(lián) RLC 電路的特征方程為：
特征根為：
奈培頻率為：
諧振頻率為：
為了保證門極電流 i(t) 不振蕩，則電流響應應為過阻尼，既有：
綜上所述，可得：
至此，Eq.7 得證。
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