簡化的MOSFET等效電路--Rds和Rg電阻損耗-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-02-10
簡化的MOSFET等效電路
MOSFET開通(turn on)過程
MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗
Diode損耗——肖特基不計反向恢復損耗
L/C損耗
IC損耗
小結
綜合上述分析可知,影響效率的因素主要有Rds(on),開關頻率,有效值電流。
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