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MOS管原廠KIA品牌 KIA50N06B可替代FQP50N06規格書-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-29 

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KIA MOS管品牌介紹

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,了解一下KIA半導體公司,深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。


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現已經擁有了獨立的研發中心,研發人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶應用領域的個性來設計方案,強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


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KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。


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從設計研發到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實現了一體化的服務鏈,真正做到了服務細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場效應管(MOSFET)功率器件領域的領跑者,為了這個目標,KIA半導體正在持續創新,永不止步!


MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06,下文有KIA50N06B和FQP50N06兩個MOS管型號的封裝、參數及規格書資料詳情。


MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-KIA50N06B資料詳解

(一)MOS管KIA50N06B產品特征

1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

2、無鉛綠色裝置

3、降低導電損耗

4、高雪崩電流


(二)KIA50N06B主要參數

產品型號:KIA50N06B

工作方式:50A/60V

漏源極電壓:60V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流:250A

雪崩電流:15A

雪崩能量:120MJ

漏源擊穿電壓:60V

柵電阻:1.0Ω

輸入電容:2060pF

輸出電容:755pF

反向轉移電容:375pF


(三)KIA50N06B封裝圖


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(四)MOS管KIA50N06B規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。

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MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-FQP50N06資料詳解


(一)FQP50N06參數


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(二)FQP50N06封裝圖


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(三)FQP50N06規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

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QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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