MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率,即Maximum Power Dissipation,Pd。計算...MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率,即Maximum Power Dissipation,Pd。計算公式為:Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c),其中Tcmax是允許的最大溫度,Tc是MOS管的...
V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS(有時候叫做VBDSS)指在特定的溫度和柵源短接...V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS(有時候叫做VBDSS)指在特定的溫度和柵源短接情況下,流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿...
截止區:當滿足Ugs<Ugs(th),MOS管進入截止區。 截止區在輸出特性最下面靠近...截止區:當滿足Ugs<Ugs(th),MOS管進入截止區。 截止區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分,表示MOS管不能導電,處在截止狀態。截止區也叫夾斷區,在該區時溝道全...
可控硅是一種雙向可導通的半導體開關,可以通過控制其觸發角來調節電流的大小,...可控硅是一種雙向可導通的半導體開關,可以通過控制其觸發角來調節電流的大小,在可控硅調光中,通過改變可控硅的觸發角,控制電路的導通時間,從而達到調節燈光亮...
三極管是電流驅動的,即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流;MOS...三極管是電流驅動的,即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流;MOS管是電壓驅動的,通過控制柵極和源極之間的電壓來控制漏極電流。