MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。計算...MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。計算公式為：Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c)，其中Tcmax是允許的最大溫度，Tc是MOS管的...
V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS（有時候叫做VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接...V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS（有時候叫做VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿...
截止區：當滿足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進入截止區。 截止區在輸出特性最下面靠近...截止區：當滿足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進入截止區。 截止區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。截止區也叫夾斷區，在該區時溝道全...
可控硅是一種雙向可導通的半導體開關，可以通過控制其觸發角來調節電流的大小，...可控硅是一種雙向可導通的半導體開關，可以通過控制其觸發角來調節電流的大小，在可控硅調光中，通過改變可控硅的觸發角，控制電路的導通時間，從而達到調節燈光亮...
三極管是電流驅動的，即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流；MOS...三極管是電流驅動的，即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流；MOS管是電壓驅動的，通過控制柵極和源極之間的電壓來控制漏極電流。
