MOSFET的關斷時間與其柵極電容（Cgs）有關。減小柵極電容可以減少充放電時間，...MOSFET的關斷時間與其柵極電容（Cgs）有關。減小柵極電容可以減少充放電時間，從而加速關斷過程。這可以通過優化布局、使用更小的柵極面積或選擇具有更低柵極電容...
提高驅動電路提供的柵極驅動電壓和電流，增大驅動強度可以加速MOSFET的開啟和關...提高驅動電路提供的柵極驅動電壓和電流，增大驅動強度可以加速MOSFET的開啟和關斷過程。減小柵極驅動電阻Rg可以提供更大的瞬態電流，從而加快MOSFET的開關速度。而...
KNF4390A采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達9...KNF4390A采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達900伏特的電壓，適用于需要高耐壓的應用場景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低...
如果不太懂電源設計，又需要多路電源隔離輸出，那么這個電路方案肯定能用的上，...如果不太懂電源設計，又需要多路電源隔離輸出，那么這個電路方案肯定能用的上，調試簡單，拓撲也簡單，繞變壓器不需要算氣隙，直接計算匝數就可以了，簡單實用。實...
.在布局之前首先需要查找對應的電源IC手冊，一般芯片手冊里面會包含有最基本的....在布局之前首先需要查找對應的電源IC手冊，一般芯片手冊里面會包含有最基本的電源電壓電流信息和管腳信息，以及layout guide，如果存在layout guide則按照里面的...
