nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出現(xiàn)一些效應(yīng)。這些效應(yīng)主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低，載流子表面散射...
當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合在一起時，由于P型半導(dǎo)體中的空穴濃度較高，而N型半...當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合在一起時，由于P型半導(dǎo)體中的空穴濃度較高，而N型半導(dǎo)體中的電子濃度較高，因此會形成擴散運動，并且P型半導(dǎo)體中的空穴將向其濃度較低...
對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)...對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿。發(fā)生擊穿時的反向電壓稱為pn結(jié)的擊穿電壓。 PN結(jié)的擊穿主要分為三...
當(dāng)摻雜濃度較高時，單位長度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更多，離子數(shù)量也更多。這使得在...當(dāng)摻雜濃度較高時，單位長度區(qū)域內(nèi)的載流子數(shù)量更多，離子數(shù)量也更多。這使得在較少的單位長度內(nèi)就能建立起“一定強度的內(nèi)電場”，使得PN結(jié)進入動態(tài)平衡階段（寬度...
