1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進入線性區，電流不再增加，能夠自我限流。
1、降壓拓撲如上圖，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓撲結構，幾乎所有降壓DC...1、降壓拓撲如上圖，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓撲結構，幾乎所有降壓DC to DC 都是基于此拓撲結構。 2、環路一，開關導通時的電流路徑；環路二，開關閉合...
PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數校正”，功率因...PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數校正”，功率因數指的是有效功率與總耗電量（視在功率）之間的關系，也就是有效功率除以總耗電量（...
某些IGBT是單裸片組件，要么結合單片二極管作，要么不結合二極管；然而，大多數...某些IGBT是單裸片組件，要么結合單片二極管作，要么不結合二極管；然而，大多數IGBT結合了聯合封裝的二極管。大多數制造商提供單個θ值，用于計算結點至外殼熱阻抗...
溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內...溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監控溫度。
