從傳遞函數的表達式中也可以看出，當 s 很小時，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；當s值...從傳遞函數的表達式中也可以看出，當 s 很小時，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；當s值增大，則 Vo(s)/Vi(s)也會增大；當s接近于無窮時，Vo(s)/Vi(s) 約為 AVF；所以為高...
KIA50N03BD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高...KIA50N03BD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高密度電池設計，具有超低導通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，完全表...
因為注入方向和晶圓有一定傾角后，注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高，而抑...因為注入方向和晶圓有一定傾角后，注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效應的產生。 為什么一定是7°傾角呢？如果傾角過大，帶膠注入時，離子被...
對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導致Channel的能帶...對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導致Channel的能帶被向下拉，因此導致了處于Cut-Off狀態下的器件leakage會增大（因為溝道的勢壘降低了...
鋰電池保護板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽...鋰電池保護板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高密度電池設計，具有超低導通電阻RDS(開啟) 7.5mΩ，低柵極電荷，最大限...
