1.性能指標(biāo) 模擬開(kāi)關(guān)由于采用的是集成MOS管作為開(kāi)關(guān)的器件實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能;由于M...1.性能指標(biāo) 模擬開(kāi)關(guān)由于采用的是集成MOS管作為開(kāi)關(guān)的器件實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能;由于MOS管自身物理特性,在使用的時(shí)候需要注意一下幾個(gè)性能指標(biāo):
隨著SWITCH 的開(kāi)關(guān),電感L 中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動(dòng)的。所以在...隨著SWITCH 的開(kāi)關(guān),電感L 中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動(dòng)的。所以在輸出端也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)與SWITCH 同頻率的紋波,一般所說(shuō)的紋波就是指這個(gè)。它與輸出電容...
電壓跟隨器是共集電極電路,信號(hào)從基極輸入,射極輸出,故又稱(chēng)射極輸出器。基極...電壓跟隨器是共集電極電路,信號(hào)從基極輸入,射極輸出,故又稱(chēng)射極輸出器。基極電壓與集電極電壓相位相同,即輸入電壓與輸出電壓同相。這一電路的主要特點(diǎn)是:高輸...
通常情況下,我們可以通過(guò)優(yōu)化母排雜散電感或增加吸收電路減小IGBT的關(guān)斷電壓尖...通常情況下,我們可以通過(guò)優(yōu)化母排雜散電感或增加吸收電路減小IGBT的關(guān)斷電壓尖峰。然而這兩種方法都是減小電壓尖峰的措施而不是保護(hù)方法,面向的也是IGBT正常工況...
Buck電路的損耗,主要發(fā)生在功率路徑上,也就是較大電流通過(guò)的器件上:MOSFET、...Buck電路的損耗,主要發(fā)生在功率路徑上,也就是較大電流通過(guò)的器件上:MOSFET、電感、二極管(非同步控制器)。