如圖所示MOS管驅動電路，定性分析可知，當MOS管關斷時，MOS管兩端應力為Vds，此...如圖所示MOS管驅動電路，定性分析可知，當MOS管關斷時，MOS管兩端應力為Vds，此時Vds向Cgd和Cgs充電，可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。
弱反型區，溝道消失，流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特...弱反型區，溝道消失，流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特性而不是平方律 弱反型區適合低功耗電路，因為電流很小，但問題在于較大的噪聲以及...
對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效...對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效應會導致閾值電壓變大，電流IDS減小。
前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡，此時，同相端、...前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態平衡，此時，同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓，R1采樣電阻上流過的恒...
Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關系 Vds > Vdsat時，region變為2，為了保證PVT下電路仍處于飽和區，需要讓Vds -Vdsat大于某個經驗值。
