本文介紹的數字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這...本文介紹的數字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個基本概念。溝道（channel）是指場效應晶體管中源區和漏區之...
導通功率損耗主要來源于功率電流在通態電阻Rds（（on）上產生的熱。 從公式來...導通功率損耗主要來源于功率電流在通態電阻Rds（（on）上產生的熱。 從公式來看，漏極電流IDS和溫度系數K不變的前提下，降低通態損耗的方式/只有降低通態電阻Rds...
放大電路的小信號分析主要考慮三個參數，放大倍數、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個...放大電路的小信號分析主要考慮三個參數，放大倍數、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個參數直接影響實際電路中的小信號放大倍數。
一個合適的偏置電路設計是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區...一個合適的偏置電路設計是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區。如圖圖1，這是一個MOSFET放大器的最基本電路。
產生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來加以控制。使反型層產生或...產生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來加以控制。使反型層產生或者消失時的柵極電壓就是器件的閾值電壓VT。對于增強型器件，該閾值電壓稱為開啟電壓...
