尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現代電子設備的...尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現代電子設備的小型化趨勢。 引腳數量和排列：SOP封裝可以容納更多的引腳，并且引腳排列更緊湊，...
KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0m...KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進...
絕緣層薄，承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。 靜電放電會...絕緣層薄，承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。 靜電放電會在短時間內施加過高的電壓，導致絕緣層擊穿。
反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。 反向...反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。 反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規定值時，在兩極間所產生的電壓降。
KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS...KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術，極低導通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；優秀的Qg...
