通常，熱模型在仿真中較慢，因為除了正常電氣和電子行為的計算之外，仿真器還必...通常，熱模型在仿真中較慢，因為除了正常電氣和電子行為的計算之外，仿真器還必須處理系統的所有熱方程，這涉及大量計算工作。
對于MOSFET，電流只有一種情況，就是流經D/S之間的電路，記為IDS，電壓有VGS和...對于MOSFET，電流只有一種情況，就是流經D/S之間的電路，記為IDS，電壓有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲線有兩種情況：VGS-IDS和VDS-IDS。
由MOS管的特性可知，MOS管輸入阻抗很大。輸入阻抗大，對于微弱信號的捕捉能力就...由MOS管的特性可知，MOS管輸入阻抗很大。輸入阻抗大，對于微弱信號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，輸入電阻越大輸入的分...
一種是廣泛應用的制造商提供SPICE模型，這種模型在制造商的官網可以免費下載。...一種是廣泛應用的制造商提供SPICE模型，這種模型在制造商的官網可以免費下載。另外一種是基于Simplorer模型新開發的SPICE模型。后一種模型可以成功描述SiC MOSFET...
對于一般的設計或者常規思路，調整電平是最簡單的，無非增加一個電平轉換芯片，...對于一般的設計或者常規思路，調整電平是最簡單的，無非增加一個電平轉換芯片，一種通用的電平轉換芯片如下，只需要做好reference voltage與input signal voltage...
