當(dāng)三相負(fù)荷平衡時(shí)中性點(diǎn)電流為零，即無(wú)零序電壓。當(dāng)三相負(fù)荷嚴(yán)重不平衡時(shí)，中性...當(dāng)三相負(fù)荷平衡時(shí)中性點(diǎn)電流為零，即無(wú)零序電壓。當(dāng)三相負(fù)荷嚴(yán)重不平衡時(shí)，中性點(diǎn)產(chǎn)生位移，這時(shí)將產(chǎn)生零序電壓。在三相負(fù)荷不平衡時(shí)畫出電壓的向量圖可得到圓滿答...
Q1導(dǎo)通時(shí)，副邊二極管D1導(dǎo)通，D2截止，電網(wǎng)通過(guò)變壓器T1向負(fù)載RL輸送能量，此時(shí)...Q1導(dǎo)通時(shí)，副邊二極管D1導(dǎo)通，D2截止，電網(wǎng)通過(guò)變壓器T1向負(fù)載RL輸送能量，此時(shí)輸出濾波電感L0儲(chǔ)存能量。當(dāng)Q1截止時(shí)，電感的儲(chǔ)能通過(guò)續(xù)流二極管D2向負(fù)載釋放，D1截...
mos管替代基本原則： 1.功能替代原則：選擇具有相同或相似功能的器件進(jìn)行替代...mos管替代基本原則： 1.功能替代原則：選擇具有相同或相似功能的器件進(jìn)行替代。 2.參數(shù)替代原則：選擇參數(shù)相近的器件進(jìn)行替代，如電壓、電流、功率、頻率等。
AVDD表示模擬電壓，給芯片中的模擬器件供電，比如camera供電就要用到AVDD，也是...AVDD表示模擬電壓，給芯片中的模擬器件供電，比如camera供電就要用到AVDD，也是相對(duì)于DVDD區(qū)別出來(lái)的，
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS...如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
