反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當(dāng)在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電...反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當(dāng)在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電壓時，電場強(qiáng)度可能足夠大，使氧化層內(nèi)的電子能夠穿越氧化層，形成導(dǎo)通通道，導(dǎo)致漏...
CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來表示邏輯狀態(tài)的一種電壓水平。CMOS電路利用NMO...CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來表示邏輯狀態(tài)的一種電壓水平。CMOS電路利用NMOS和PMOS這兩種互補(bǔ)類型的半導(dǎo)體材料來實現(xiàn)邏輯功能。1邏輯電平電壓接近于電源電壓，...
X電容是跨接在電力線兩線之間，即“L-N”之間，X電容器能夠抑制差模干擾，通常...X電容是跨接在電力線兩線之間，即“L-N”之間，X電容器能夠抑制差模干擾，通常采取金屬化薄膜電容器，電容容量是uF級。X電容多數(shù)是方型，也就是類似于盒子的形狀，...
開關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電...開關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護(hù)電路、輸出過欠...
MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區(qū)域會發(fā)生漏電現(xiàn)...MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區(qū)域會發(fā)生漏電現(xiàn)象的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是由于高電場導(dǎo)致絕緣層中的電子發(fā)生穿隧效應(yīng)，從而形成漏電流。...
