一般在判斷好壞的時候先對MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極...一般在判斷好壞的時候先對MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極）電位相同，放電直接在G極和S極之間用導線短接一下就可以了，也可以串接個電阻。
頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊...頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊穿電壓(集電極-發射極)：160 V
漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態電阻（RDS(on)）...漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態電阻（RDS(on)）：0.06 Ω 耗散功率（PD）：1.25 W 封裝：SOT-23
MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Se...MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡稱MOS-FET，是應用場效應原理工作的半導體器件，屬于電壓控制型...
MOS屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關斷到導通的過程中也是需要電流的...MOS屬于電壓控制型器件，但是實際上MOS管在從關斷到導通的過程中也是需要電流的，因為MOS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。 對于N溝道增強型MOSFET，開啟...
